我国半导体制造核心技术突破

 国内    2024年9月11日  

9月10报道,近日,国家电投所属国电投核力创芯(无锡)科技有限公司暨国家原子能机构核技术(功率芯片质子辐照)研发中心,完成首批氢离子注入性能优化芯片产品客户交付。

国家电投表示,这标志着我国已全面掌握功率半导体高能氢离子注入核心技术和工艺,补全了我国半导体产业链中缺失的重要一环,为半导体离子注入设备和工艺的全面国产替代奠定了基础。


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